集成电路CMP化学机械研磨抛光液浆料 CMP抛光液 纳米氧化

产品特点

1.分散性好。

2.粒径分布广泛:10nm。

3.高纯度，有效减小对电子类产品的沾污

4.适合与各种抛光垫、合成材料配合抛光使用。

5.PH、粒径、稳定离子等可以根据客户定制。

6.经特殊工艺合成的化学机械抛光液，纳米颗粒呈球形，单分散，大小均匀，粒径分布窄，可获得高质量的

抛光精度

抛光过程中具有:

1.高抛光速率，利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的。

2.高平坦度加工，本品抛光是利用SiO2的胶体粒子，不会对加工件造成物理损伤，达到高平坦化加工.

抛光过程后具有:

1.精度可以达到纳米级

2.划伤和挖伤可以达到0/0。

适用于集成电路当中的铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。具有高的铜去除速率，碟型叫陷可调

低缺陷等特性。可应用于逻辑芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量产使用。集成电路中铜抛光后表面

的抛光颗粒和化学物残留，以防铜表面腐蚀，降低表面缺陷。

以及用于单晶硅、多晶硅的研磨抛光，存储器制程和背照式传感器(BSI)制程等。可定制选择稳定的选择

比，去除速率，对氧化物/氮化物的选择比。硅精抛液系列具有低缺陷的优点。BSI抛光液系列具有理想的

硅和二氧化硅去除速率和选择比。涵盖TSV铜/阻挡层S，TSV晶背铜/介质层抛、TSV晶背硅

、TSV晶背硅/铜等。具有高去除速率、选择比可调等优点。

以及集成电路制造工艺中浅槽隔离的抛光等等

使用方法

使用方法:

1.使用前清理瓶口，以防污染发生。

2.使用时，根据不同行业的需要可用去离子水加以稀释，调制不同浓度

3.现场需保持清洁无扬尘，防止受到抛光液配制和使用过程遭到污染。

4.循环使用粘度增大时,应予以重新配制新的抛光液，以免损伤工件，降低良率

储存方法:

1.保持室内阴凉

2.避免敞口长期与空气接触。

3.贮存时应避免曝晒，贮存温度为5-35C

4.低于0°C以上储存，防止结冰，在零度以下因产生不可再分散结块而失效

价格实惠:

引进国外生产技术，品质可以媲美进口的产品,有效的避免了进口产品其交货周期长，价格

昂贵。